Lietuvoje steigiamas CERN verslo inkubatorius

© Flickr / Mike ProcarioБольшой адронный коллайдер
Большой адронный коллайдер - Sputnik Lietuva
Respublikoje bus atydarytas CERN verslo inkubatorius, kuriame įsikurs žinioms ir mokslui imlios įmonės

VILNIUS, sausio 26 — Sputnik. Pasaulio ekonomikos forume dalyvaujanti šalies vadovė Dalia Grybauskaitė susitiko su Europos branduolinių mokslinių tyrimų organizacijos generaline direktore dr. Fabiola Gianotti, su kuria aptarė Lietuvos mokslo bendradarbiavimą su CERN, praneša prezidentės spaudos tarnyba.

Praėjusių metų birželį Prezidentūroje buvo pasirašytas Lietuvos ir CERN susitarimas, o gruodį Seimas jį vienbalsiai ratifikavo

Лазерная резка по металлу - Sputnik Lietuva
Kuo gali didžiuotis Lietuva technologijų vystymosi srityje?

"Lietuva patvirtino 5 metų inovacijų skatinimo planą, Vilniuje Prezidentės iniciatyva steigiamas CERN verslo inkubatorius, kurio uždavinys — skatinti aukštųjų ir biomedicinos technologijų plėtrą", — pažymima pranešime. Tai jau dešimtas toks CERN inkubatorius, įsteigtas kitose valstybėse.

2018-ųjų sausį Lietuva pirmoji iš Baltijos šalių tapo asocijuotąja CERN nare. Kaip pažymėjo šalies vadovė, tai labai aukštas Lietuvos mokslo įvertinimas, atveriantis naujų galimybių šalies mokslininkams dalyvauti CERN mokslinių tyrimų programose, CERN Tarybos ir komitetų veikloje, o verslo ir pramonės įmonės galės teikti paraiškas CERN viešųjų pirkimų konkursuose.

Europos branduolinių mokslinių tyrimų organizacija, bendrai vadinama CERN — didžiausia pasaulyje dalelių fizikos laboratorija, esanti į šiaurės vakarus nuo Ženevos, išdėstyta Šveicarijos ir Prancūzijos teritorijose. Laboratorijos pagrindinė funkcija yra parūpinti dalelių greitintuvus ir kitą įrangą dalelių fizikos moksliniams tyrimams.

Susitarimas dėl organizacijos įkūrimo buvo pasirašytas 1953 metais. Organizacijos nariai yra 22 Europos šalys, o daugelis šalių, tarp jų JAV, Japonija, Indija ir Rusija turi stebėtojų statusą.

Naujienų srautas
0
Pirma naujausiPirma seniausi
loader
LIVE
Заголовок открываемого материала